1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
- 20+: ¥0.063295 / 个
- 200+: ¥0.055416 / 个
- 600+: ¥0.05104 / 个
- 3000+: ¥0.040617 / 个 (折合1圆盘121.85元)
- 9000+: ¥0.038341 / 个 (折合1圆盘115.02元)
- 21000+: ¥0.037115 / 个 (折合1圆盘111.35元)
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¥0.05104 / 个 |
3000+: |
¥0.040617 / 个 (折合1圆盘121.85元) |
9000+: |
¥0.038341 / 个 (折合1圆盘115.02元) |
21000+: |
¥0.037115 / 个 (折合1圆盘111.35元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 115mA | |
功率(Pd) | 225mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,100mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V | |
工作温度 | - |