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KSI2324DS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规范）。
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- KSI2324DS-T1-GE3
- 商品编号
- C2892535
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 436pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品特性
- 60V/182A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 2.7 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 3.8 mΩ（典型值）
- 100%经过雪崩测试
- 100%经过DVDS测试
- 可靠耐用
- 有无卤环保器件可供选择（符合RoHS标准）
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器
- 电动工具应用
- 单N沟道MOSFET
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