温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

40N20

N沟道,电流:40A,耐压:200V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: GOFORD(谷峰)
商品型号: 40N20
商品编号: C2890998
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.04克(g)

商品参数

商品概述

SVF10N65CFJ是一款采用Silicon专有的F-Cell结构VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进后的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

10A、650V，漏源导通电阻（典型值） = 0.80 Ω，栅源电压 = 10 V
低栅极电荷
低Crss
快速开关
改善的dv/dt能力

应用领域

-AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	45mΩ@10V,20A
	耗散功率(Pd)	220W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	163nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	6.5nF
	反向传输电容(Crss)	220pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃