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G26N02K
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:26A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G26N02K
- 商品编号
- C2890999
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.1mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 777pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |