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HYG024N03LR1D
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 特性：30V/100A，RDS(ON) = 2.3 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，RDS(ON) = 3.0 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供选择。应用：电池保护。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG024N03LR1D
- 商品编号
- C2888332
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.524克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.918nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 441pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 567pF |
商品概述
SOP-8 塑封封装的 P 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
- 漏源电压（V） = -30V
- 漏极电流 = -15A（栅源电压 = -20V）
- 导通电阻 < 11mΩ（栅源电压 = -20V）
- 导通电阻 < 12mΩ（栅源电压 = -10V）
应用领域
- 用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
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