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TF2181M-TAH
高端和低端栅极驱动器
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- 描述
- 高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
- 品牌名称
- TFSS(德律风根)
- 商品型号
- TF2181M-TAH
- 商品编号
- C2885961
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.3A | |
| 拉电流(IOH) | 1.9A | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 180ns | |
| 传播延迟 tpHL | 220ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 120uA |
商品概述
TF2181M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压工艺使TF2181M的高端在自举操作中可切换至600V。 TF2181M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器交叉导通。 TF2181M采用PDIP - 8和SOIC - 8(N)封装，工作温度范围扩展至 - 40℃至 + 125℃。
商品特性
- 自举操作中浮动高端驱动器可达600V
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- 1.9A源极 / 2.3A漏极输出电流能力
- 输出耐受负瞬变
- 宽低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
- 逻辑输入（HIN和LIN）支持3.3V
- 带内部下拉的施密特触发逻辑输入
- 高端和低端驱动器欠压锁定
- 扩展温度范围： - 40℃至 + 125℃
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 交流 - 直流逆变器
- 电机控制
- D类功率放大器