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GL4435-8
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- GL4435 - 8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL4435-8
- 商品编号
- C2880533
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
F10N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 5.0A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 1.0Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高抗扰性
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