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GL4435-8实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

GL4435-8

1个P沟道 耐压:30V 电流:9A

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描述
GL4435 - 8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准
品牌名称
GL(光磊)
商品型号
GL4435-8
商品编号
C2880533
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)1.6nF
反向传输电容(Crss)300pF@15V
工作温度-55℃~+155℃
类型P沟道

数据手册PDF

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(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)
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起订量：1 个4000个/圆盘

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