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GL40N30A8实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

GL40N30A8

N沟道 耐压:300V 电流:40A

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描述
GL40N30A8是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准
品牌名称
GL(光磊)
商品型号
GL40N30A8
商品编号
C2880535
商品封装
TO-220AB​
包装方式
盒装
商品毛重
2.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
耗散功率(Pd)340W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)3.1nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)320pF

数据手册PDF

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