温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GD20N10
N沟道增强型MOSFET,电流:20A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GD20N10
- 商品编号
- C2880144
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 72mΩ@4.5V,10A | |
| 功率 | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 940pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 坚固可靠-表面贴装封装-高功率和大电流处理能力-超高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)-符合RoHS+HF标准