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GR7430
N沟道增强型MOSFET,电流:37A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GR7430
- 商品编号
- C2880142
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,15A | |
| 功率 | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 896pF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计,实现低导通电阻RDS(on)。
- 提供环保器件
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证耐雪崩能力
- 极低的栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力