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GR2260
N沟道,电流:4.8A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GR2260
- 商品编号
- C2880140
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@10V,4.8A | |
| 功率 | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 47.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 450pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 26pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
封装:DFN2X2-6L
- 封装材料:模塑塑料,符合UL阻燃等级
- 湿度敏感度:等级1
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
-先进的沟槽工艺技术-高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-计算机、服务器中的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器