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GM8812E
双N沟道MOSFET,电流:7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GM8812E
- 商品编号
- C2880138
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.159克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 860pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
WPM3028B是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM3028B为无铅产品。
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计,实现低导通电阻RDS(on)
- 坚固可靠
- 电池开关具备人体模型(HBM)2级静电防护
- 表面贴装封装
应用领域
- DC/DC转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关