温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GM8812E
双N沟道MOSFET,电流:7A,耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GM8812E
- 商品编号
- C2880138
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.159克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 860pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
近期成交0单