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GM8205A
N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 表面贴装封装
- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GM8205A
- 商品编号
- C2880137
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 559pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计，实现低导通电阻RDS(on)。
- 坚固可靠。
- SOT-23-3L封装