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GS4832
双N沟道增强模式MOSFET,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GS4832
- 商品编号
- C2880128
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@4.5V,5A | |
| 功率 | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@20V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 760pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 145pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 产品无铅
- 表面贴装封装