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GS4435
P沟道增强型MOSFET,电流:-9.1A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GS4435
- 商品编号
- C2880125
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.231克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,9.1A | |
| 功率 | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.253nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 253pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |