温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GV3415E
P沟道增强型MOSFET,电流:-4A,耐压:-20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GV3415E
- 商品编号
- C2880122
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ@2.5V,4A | |
| 功率 | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 300mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.45nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 160pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
近期成交0单