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GV3401-G
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：超高密度单元沟槽设计，实现低 RDS(on)。坚固可靠。SOT-23-3L 封装
- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GV3401-G
- 商品编号
- C2880120
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.325nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 表面贴装封装