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GV3400-G
N沟道增强型MOSFET,电流:5.8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GV3400-G
- 商品编号
- C2880119
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@2.5V,4A | |
| 功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
This 12V, 15mΩ N-channel FemtoFET MOSFET technology is designed and optimized to minimize the space occupied in many handheld and mobile applications. This technology can significantly reduce the package size while replacing standard small-signal MOSFETs.
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计,实现低导通电阻RDS(on)
- 坚固可靠
- SOT-23-3L封装
应用领域
- 针对工业负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化