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GV3400-G
N沟道增强型MOSFET,电流:5.8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GV3400-G
- 商品编号
- C2880119
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@2.5V,4A | |
| 功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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