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GN3407
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
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- 描述
- 特性：超高密度单元沟槽设计，实现低导通电阻RDS(on)。 坚固可靠。 SOT-23封装
- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GN3407
- 商品编号
- C2880116
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 668pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
JSM7409B采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压 = -30V，漏极电流 = -25A
- 栅源电压 = -4.5V时，漏源导通电阻 < 30 mΩ
- 栅源电压 = -10V时，漏源导通电阻 < 17 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理