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GN3401
P沟道增强型MOSFET,电流:-4.2A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GN3401
- 商品编号
- C2880115
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@2.5V,1A | |
| 功率 | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 27.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.325nF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计,实现低 RDS(on)
- 坚固可靠
- SOT-23 封装
应用领域
- 计算领域的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器