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GN2N7002K
N沟道,电流:0.5A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GN2N7002K
- 商品编号
- C2880113
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.9Ω@10V,0.5A | |
| 功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@1mA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.7nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
F12N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)保护高达2KV
应用领域
- 开关电源和适配器的高速开关应用