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GN2305-G
P沟道增强型MOSFET,电流:-4.2A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 商品型号
- GN2305-G
- 商品编号
- C2880112
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 57mΩ@4.5V,4.2A | |
| 功率 | 1.38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 920pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 85pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SOT23-3塑封封装的N沟道MOS场效应管。
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计,实现低导通电阻RDS(on)
- 坚固可靠
- SOT-23封装
应用领域
- 适用于作为负载开关或用于脉宽调制应用。
- 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。