ADS58B18IRGZT

ADS58B18/B19 是超低功耗 ADS4xxx 模数转换器 (ADC) 系列的成员，该系列具备集成模拟缓冲器和 SNRBoost 技术。ADS58B18 和 ADS58B19 分别是 11 位和 9 位 ADC，采样率最高可达 200MSPS 和 250MSPS。采用创新设计技术，在实现高动态性能的同时，功耗极低。模拟输入引脚配备缓冲器，在宽频率范围内具有恒定的性能和输入阻抗。这种架构使这些器件非常适合多载波、宽带通信应用，如功率放大器 (PA) 线性化。 ADS58B18 采用了德州仪器 (TI) 专有的 SNRBoost 技术，可用于克服带宽小于奈奎斯特频率 (fS/2) 时因量化噪声导致的信噪比 (SNR) 限制。 两款器件均具备增益选项，可用于在较低的满量程输入范围内改善无杂散动态范围 (SFDR) 性能，尤其是在非常高的输入频率下。它们还包含一个直流失调校正环路，可用于消除 ADC 失调。在较低采样率下，ADC 会自动以降低的功耗运行，且性能不受影响。 这些器件支持双数据速率 (DDR) 低压差分信号 (LVDS) 和并行互补金属氧化物半导体 (CMOS) 数字输出接口。DDR LVDS 接口的低数据速率（最高 500Mbps）使得使用低成本的基于现场可编程门阵列 (FPGA) 的接收器成为可能。它们具备低摆幅 LVDS 模式，可进一步降低功耗。LVDS 输出缓冲器的驱动能力也可增强，以支持 50Ω 差分端接。 ADS58B18/B19 均采用紧凑的 QFN-48 封装，工作温度范围为工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）。

• ADS58B18：11 位，200MSPS
• ADS58B19：9 位，250MSPS
• 集成高阻抗模拟输入缓冲器
• 超低功耗：
  • 模拟功耗：200MSPS 时为 258mW
  • I/O 功耗：69mW（DDR LVDS，低 LVDS 摆幅）
• 高动态性能：
  • ADS58B18：150MHz 时 SNR 为 66dBFS，SFDR 为 81dBc
  • ADS58B19：150MHz 时 SNR 为 55.7dBFS，SFDR 为 76dBc
• 使用 TI 专有 SNRBoost 技术增强 SNR（仅适用于 ADS58B18）：
  • 20MHz 带宽内 SNR 为 -77.7dBFS
• 功耗随采样率动态调整
• 输出接口：具备可编程摆幅和驱动能力的双数据速率 (DDR) LVDS
  • 标准摆幅：350mV
  • 低摆幅：200mV
  • 默认驱动能力：100Ω 端接
  • 2 倍驱动能力：50Ω 端接
• 也支持 1.8V 并行 CMOS 接口
• 可编程增益，可在 SNR 和 SFDR 之间进行权衡
• 直流失调校正
• 支持低输入时钟幅度
• 封装：QFN-48（7mm×7mm）