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TMS5701227CZWTQQ1

16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，通过 Q100 车规认证，EMAC

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描述: TMS570LS1227 16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，通过 Q100 车规认证，EMAC
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TMS5701227CZWTQQ1
商品编号: C2864404
商品封装: NFBGA-337
包装方式: 托盘
商品毛重: 2.8725克(g)

商品参数

商品概述

TMS570LS1227是面向安全关键系统的高性能汽车级微控制器，安全架构包含锁步运行的双CPU，CPU和存储器内置自测试逻辑，闪存和数据静态随机存取存储器都带有纠错码，外设存储器带有奇偶校验，外设输入输出具备回环能力。该器件集成带浮点功能的ARM Cortex-R4F CPU，效率可达1.66 DMIPS/MHz，最高运行频率180MHz，最高可提供298 DMIPS，支持不变字大端BE32格式。内置1.25MB程序闪存和192KB数据随机存取存储器，支持单比特纠错和双比特错误检测；闪存为非易失性、可电擦除可编程存储器，采用64位宽数据总线接口，所有读、编程、擦除操作都在3.3V供电下运行，流水线模式下最高支持180MHz系统时钟频率；静态随机存取存储器在整个支持的频率范围内，支持字节、半字、字、双字模式的单周期读写访问。器件集成面向实时控制应用的各类外设，可满足实时控制类应用的需求。

商品特性

面向安全关键应用设计，具备双CPU锁步运行、闪存与RAM接口纠错码ECC、CPU与片上RAM内置自测试BIST、带错误引脚的错误信号模块、电压与时钟监控功能
采用ARM Cortex-R4F 32位RISC CPU，8级流水线，性能为1.66 DMIPS/MHz，集成支持单精度与双精度的浮点单元FPU，内置12区域存储器保护单元MPU，开放架构支持第三方支持
工作条件：最高支持180MHz系统时钟，核心电源电压为1.14V~1.32V，I/O电源电压为3.0V~3.6V
集成存储器：带ECC的1.25MB程序闪存，带ECC的192KB RAM，带ECC的64KB仿真EEPROM闪存
配备16位外部存储器接口EMIF，采用通用平台架构，同系列产品存储器映射一致，集成实时中断RTI定时器、128通道向量中断模块VIM、2通道循环冗余校验CRC
集成直接存储器访问DMA控制器，具备16通道和32个控制包，控制包RAM带奇偶校验，DMA访问由专用MPU保护
集成带内置滑动检测器的调频锁相环FMPLL，配有独立非调制锁相环，支持IEEE 1149.1 JTAG、边界扫描和ARM CoreSight组件，集成高级JTAG安全模块AJSM，具备校准能力，内置参数覆盖模块POM
16个通用输入输出GPIO引脚，支持中断生成
集成电机控制专用增强定时外设：7个增强脉冲宽度调制ePWM模块，6个增强捕捉eCAP模块，2个增强正交编码器脉冲eQEP模块
配备两个下一代高级定时器N2HET模块：N2HET1带32个可编程通道，N2HET2带18个可编程通道，每个模块自带160字指令RAM并带奇偶校验，每个N2HET包含硬件角度发生器，每个N2HET配备专用高级定时器传输单元HTU；N2HET为高级智能定时器，可提供复杂定时功能，适用于多传感器信息采集与驱动复杂精确时序脉冲执行器
ePWM模块可在极低CPU开销下生成复杂脉宽波形，使用简便，支持高低侧PWM与死区生成，集成跳闸区保护，可与片上多缓冲ADC同步，适合数字电机控制应用
集成两个12位多缓冲ADC模块：ADC1带24通道，ADC2带16通道与ADC1复用，每个模块带64个结果缓冲器并带奇偶校验
集成多种通信接口：10/100 Mbps以太网MAC，符合IEEE 802.3标准，仅支持3.3V I/O，支持MII、RMII和MDIO；2通道FlexRay控制器，带8KB消息RAM并带奇偶校验，配备专用FlexRay传输单元FTU；三个CAN控制器DCAN，每个带64个邮箱并带奇偶校验，符合CAN协议2.0A和2.0B版本；内置I2C接口；三个多缓冲串行外设接口MibSPI模块，每个带128字并带奇偶校验，支持8个传输组；最高支持两个标准SPI模块；两个UART SCI接口，其中一个支持LIN 2.1接口
提供144引脚四方扁平PGE封装、337球栅阵列ZWT两种绿色封装

应用领域

汽车制动系统ABS和ESC
电动助力转向EPS
混合动力和电动汽车逆变系统
电池管理系统
主动驾驶员辅助系统
铁路通信
越野车辆

	属性	参数值
	商品目录	单片机(MCU/MPU/SOC)
	CPU内核	ARM Cortex-R4F
	CPU最大主频	180MHz
	CPU位数	32 Bit
	程序存储容量	1.25MB
	程序存储器类型	FLASH
	RAM容量	192KB

	属性	参数值
	EEPROM容量	64KB
	I/O数量	101
	ADC(位数)	12bit
	振荡器类型	外置
	工作电压	1.14V~3.6V
	工作温度	-40℃~+125℃