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2SB1132
PNP 电流:1A 电压:32V
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- 描述
- 特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：-0.2V（典型值，Ic / Ib = -500mA / -50mA）。 与2SD1664互补
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- 2SB1132
- 商品编号
- C28928392
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 390 | |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | - |
商品特性
- 低 VCE(sat)：-0.2V（典型值） IC/IB = -500mA/-50mA
- 与 2SD1664 互补