TPS7A3725DRVT
具有反向电流保护和使能功能的 1A、高精度、超低压降稳压器
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 具有反向电流保护功能的 1% 高准确度,1A 低压降稳压器 6-WSON -40 to 125
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPS7A3725DRVT
- 商品编号
- C2859755
- 商品封装
- WSON-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 线性稳压器(LDO) | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 工作电压 | 5.5V | |
| 输出电压 | 2.5V | |
| 输出电流 | 1A | |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 58dB@(100Hz) | |
| 压差 | 200mV@(1A) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 1.3mA | |
| 噪声 | - | |
| 特性 | 热关断;过流保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| 输出极性 | 正极 | |
| 输出通道数 | 1 |
商品概述
TPS7A37 系列线性低压降(LDO) 稳压器在一个电压随耦器配置中使用一个N 沟道金属氧化物半导体(NMOS) 导通元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻(ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色,即使与1μF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。 TPS7A37 系列使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS) 工艺,可在传送极低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未使能状态下的电流消耗小于20nA,非常适合便携式应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
商品特性
- 与 1μF 或更大的陶瓷输出电容搭配工作时保持稳定
- 输入电压范围:2.2V 至 5.5V
- 超低压降电压:1A 时的最大电压为 200mV
- 出色的负载瞬态响应 - 即使与仅为 1μF 的输出电容搭配使用也依旧出色
- NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流
- 出色的精度:0.23% 标称准确度,整个线路、负载和温度范围内的总精度为 1%
- 关断模式下的 IQ 典型值小于 20nA
- 用于故障保护的热关断和电流限制
应用领域
- 针对数字信号处理器(DSP),现场可编程栅极阵列(FPGA),特定用途集成电路(ASIC) 和微处理器的负载点调节
- 针对开关电源的后置调节
- 便携式和电池供电类设备
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个250个/圆盘
近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- TPS7A0527PDBZR
- TPS780300250DRVT
- TPS79518DCQ
- TPS79530DCQ
- TPS73401DDCT
- LP5912-1.1DRVR
- LP5900XR-2.8/NOPB
- LP3965EMP-3.3/NOPB
- TLV71333PDBVT
- TLV73312PDQNR
- TPS79430DCQR
- LMS1587IS-1.5/NOPB
- LMS8117AMP-1.8/NOPB
- TLV1117LV28DCYR
- TLV117118DCYR
- TPS74628PQWDRVRQ1
- TPS70630DBVR
- LP2951CMM-3.0/NOPB
- TPS72615DCQ
- LP2987IMMX-3.3/NOPB
- TLV7163318PDPQR

