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IRFBC40PBF
1个N沟道 耐压:600V 电流:6.2A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET提供快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50W的商业-工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBC40PBF
- 商品编号
- C2859525
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
100 V、6.4 mΩ、TO - 220 NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 热插拔电信应用
- 电机控制