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NTMFWS1D5N08XT1G
NTMFWS1D5N08XT1G
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFWS1D5N08XT1G
- 商品编号
- C28792964
- 商品封装
- DFN-6(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 253A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 194W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@330uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.69nF |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 低RDS(on)的P沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 栅极具备ESD保护
- 与TPM2008EP3互补
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换