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NT5CC256M8JQ-EK
DDR3和DDR3L SDRAM
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- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT5CC256M8JQ-EK
- 商品编号
- C28792684
- 商品封装
- BGA-78(10.5x7.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- 符合DDR3基础规范
- 8n预取架构
- 差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)
- DQ、DQS和DM支持双倍数据速率
- 通过DRAM内置温度传感器实现自动自刷新
- 支持自动刷新和自刷新模式
- 支持掉电模式
- 可配置驱动强度以提升系统兼容性
- 可配置片内终端
- 通过外部ZQ焊盘(240欧姆 ±1%)进行ZQ校准，以确保驱动强度/片内终端阻抗精度
- 通过模式寄存器设置实现写均衡
- 通过MPR实现读均衡
- 对于DDR3：采用SSTL_15接口，VDD/VDDQ=1.5V(±0.075V)
- 对于DDR3L：采用SSTL_135接口，VDD/VDDQ=1.35V(-0.067/+0.1V)
- 可编程CAS延迟(6/7/8/9/10/11/12/13/14)
- 可编程CAS写延迟(5/6/7/8/9/10)
- 可编程附加延迟(0/CL-1/CL-2)
- 可编程写恢复时间(5/6/7/8/10/12/14/16)
- 可编程突发类型(顺序/交错)
- 可编程突发长度(BL8/BC4/BC4或动态切换)
- 可编程自刷新温度范围(标准/扩展)
- 可编程输出驱动器阻抗(34/40)
- 可编程片内终端标称电阻Rtt_Nom(20/30/40/60/120)
- 可编程片内终端写电阻Rtt_WR(60/120)
- 可编程预充电掉电模式(慢速/快速)
- 速度等级(CL-TRCD-TRP)：2133 Mbps / 14-14-14
- 速度等级(CL-TRCD-TRP)：1866 Mbps / 13-13-13
- 速度等级(CL-TRCD-TRP)：1600 Mbps / 11-11-11
- 符合无铅RoHS标准且无卤素
- 未使用TSCA中的5PBTs
- 商业级温度范围：0°C ~ 95°C
- 商业级(-R)温度范围：0°C ~ 105°C
- 商业级(-W)温度范围：-40°C ~ 105°C
- 准工业级(-T)温度范围：-40°C ~ 95°C
- 工业级(-I)温度范围：-40°C ~ 95°C