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IRFP048NPBF
N沟道,电流:64A,耐压:55V
- 描述
- N沟道,55V,64A,16mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFP048NPBF
- 商品编号
- C2670
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种可广泛应用于各种场景的高效可靠器件。 对于商用 - 工业应用，当功率要求较高而无法使用TO - 220器件时，首选TO - 247封装。TO - 247与早期的TO - 218封装类似，但由于其有绝缘安装孔，性能更优。
商品特性
- 先进工艺技术
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅