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2N7002KW
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），可靠耐用。采用SOT - 323表面贴装封装。静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）>2000V
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2N7002KW
- 商品编号
- C2847214
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 510mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V
- 漏极电流ID = 0.3A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON)最大值为2.3Ω
- 栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON)最大值为3Ω
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器
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