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LNTA7002NT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LNTA7002NT1G

1个N沟道 耐压:30V 电流:154mA

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描述
特性:低栅极电荷,实现快速开关。 小尺寸,占位面积为 1.6×1.6 mm。 栅极具备 ESD 保护。 ESD 保护能力达 2000V。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。应用:电源管理。 负载开关
商品型号
LNTA7002NT1G
商品编号
C2846992
商品封装
SC-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.025克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)154mA
导通电阻(RDS(on))7Ω@4.5V,154mA
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@100uA
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)11.5pF@5V
反向传输电容(Crss)3.5pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)10pF

商品特性

  • VDS = -20V, ID = -3A
  • 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 140 mΩ
  • 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 110 mΩ
  • 高功率和大电流处理能力
  • 产品为无铅产品
  • 表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF