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SIRA12BDP-T1-GE3

N沟道 MOSFET,电流:27A,耐压:30V

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIRA12BDP-T1-GE3
商品编号: C2846918
商品封装: PowerPAK-SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

商品概述

这些高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护型 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最严苛的应用确保高水平的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体（ST）包括革命性的 MDmesh™ 产品在内的全系列高压 MOSFET。

商品特性

极高的 dv/dt 能力
100% 雪崩测试
栅极电荷最小化
齐纳保护

应用领域

开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	27A
	导通电阻(RDS(on))	4.3mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	38W
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	10nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.47nF
	反向传输电容(Crss)	60pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	545pF