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SIRA10BDP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：高功率密度DC/DC同步整流。 VRMs和嵌入式DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA10BDP-T1-GE3
- 商品编号
- C2846917
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 655pF |
商品特性
- N沟道
- P沟道
- 漏源电压（Vds） = 40V
- 漏源电压（Vds） = -40V
- 9A（栅源电压Vgs = 10V）
- -6.2A（栅源电压Vgs = -10V）
- 15mΩ（栅源电压Vgs = 10V）
- 32mΩ（栅源电压Vgs = -10V）
- 20mΩ（栅源电压Vgs = 4.5V）
- 47mΩ（栅源电压Vgs = -4.5V）
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 同步整流器-无线充电-H桥电机驱动
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