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AHV85000GEJTD

GaN FET 隔离栅极驱动芯片组

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描述
是一种成本优化的隔离栅极驱动芯片组,适用于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 器件。与推荐的外部变压器之一配合使用时,它提供了一种自供电的隔离栅极驱动解决方案,适用于多种应用和拓扑中的 GaN FET。芯片组通过外部变压器传输脉冲宽度调制 (PWM) 信号和栅极偏置电源,无需任何外部栅极驱动辅助偏置电源或高端自举电路。这大大简化了系统设计,并通过降低总共模 (CM) 电容来减少电磁干扰 (EMI)
商品型号
AHV85000GEJTD
商品编号
C28660910
商品封装
DFN-10(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置全桥;半桥
负载类型GaN
通道数1
输入侧工作电压10.5V~13.2V
拉电流(IOH)2A
灌电流(IOL)4A
工作温度-40℃~+125℃
上升时间(tr)9ns
属性参数值
下降时间(tf)7ns
传播延迟 tpLH50ns
传播延迟 tpHL50ns
输入高电平(VIH)2V~13.2V
输入低电平(VIL)0V~0.8V
静态电流(Iq)1.25mA
CMTI(kV/us)100kV/us
驱动侧工作电压-
功能特性集成供电电源

数据手册PDF