AHV85000GEJTD
GaN FET 隔离栅极驱动芯片组
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- 描述
- 是一种成本优化的隔离栅极驱动芯片组,适用于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 器件。与推荐的外部变压器之一配合使用时,它提供了一种自供电的隔离栅极驱动解决方案,适用于多种应用和拓扑中的 GaN FET。芯片组通过外部变压器传输脉冲宽度调制 (PWM) 信号和栅极偏置电源,无需任何外部栅极驱动辅助偏置电源或高端自举电路。这大大简化了系统设计,并通过降低总共模 (CM) 电容来减少电磁干扰 (EMI)
- 品牌名称
- ALLEGRO(美国埃戈罗)
- 商品型号
- AHV85000GEJTD
- 商品编号
- C28660910
- 商品封装
- DFN-10(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 全桥;半桥 | |
| 负载类型 | GaN | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 10.5V~13.2V | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 上升时间(tr) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 传播延迟 tpLH | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 50ns | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~13.2V | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~0.8V | |
| 静态电流(Iq) | 1.25mA | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | - | |
| 功能特性 | 集成供电电源 |
