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AHV85000GEJTD
GaN FET 隔离栅极驱动芯片组
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- 描述
- 是一种成本优化的隔离栅极驱动芯片组，适用于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 器件。与推荐的外部变压器之一配合使用时，它提供了一种自供电的隔离栅极驱动解决方案，适用于多种应用和拓扑中的 GaN FET。芯片组通过外部变压器传输脉冲宽度调制 (PWM) 信号和栅极偏置电源，无需任何外部栅极驱动辅助偏置电源或高端自举电路。这大大简化了系统设计，并通过降低总共模 (CM) 电容来减少电磁干扰 (EMI)
- 品牌名称
- ALLEGRO(美国埃戈罗)
- 商品型号
- AHV85000GEJTD
- 商品编号
- C28660910
- 商品封装
- DFN-10(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 全桥；半桥 | |
| 负载类型 | GaN | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 10.5V~13.2V | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 上升时间(tr) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 传播延迟 tpLH | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 50ns | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~13.2V | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~0.8V | |
| 静态电流(Iq) | 1.25mA | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | - | |
| 功能特性 | 集成供电电源 |
商品概述
AHV85000与AHV85040是一款针对氮化镓场效应晶体管器件优化的低成本隔离栅极驱动芯片组。当与推荐的外部变压器之一配合使用时，它提供了一种自供电的隔离栅极驱动解决方案，非常适合多种应用和拓扑结构中的氮化镓场效应晶体管。该芯片组通过外部变压器同时传输脉宽调制信号和栅极偏置功率，无需任何外部栅极驱动辅助偏置电源或高侧自举电路，从而极大地简化了系统设计，并通过降低总共模电容来减少电磁干扰。它还允许在开关电源拓扑中的任意位置驱动浮地开关。该芯片组具有低传播延迟和高峰值电流灌/拉能力，能够高效驱动高频设计中的氮化镓场效应晶体管。高共模瞬态抗扰度结合偏置电源和驱动的隔离输出，使其非常适合需要隔离、电平转换或接地分离以增强抗噪能力的应用。该芯片组采用一对3毫米×3毫米、10引脚、双扁平无引线表面贴装封装。集成了多项保护功能，包括初级和次级偏置电源轨的欠压锁定、IN引脚和OUTPD引脚的内置下拉电阻以及快速响应的使能输入/故障输出引脚。
商品特性
- 通过单个外部隔离变压器同时传输脉宽调制信号和偏置功率
- 无需高侧自举电路
- 无需外部次级侧偏置电源
- 50纳秒传播延迟（使用推荐变压器时）
- 独立的驱动输出引脚：上拉（2.8欧姆）和下拉（1.0欧姆）
- 电源电压10.5伏 < V_DRV < 13.2伏
- 初级V_DRV和次级V_SEC均具有欠压锁定功能
- 带快速响应的使能引脚
- 具备持续导通能力——无需循环IN信号或重新充电自举电容
- 共模瞬态抗扰度 > 100伏/纳秒（使用推荐变压器时）
- 系统爬电距离 > 4或8毫米（使用推荐变压器时）
应用领域
- AC-DC和DC-DC转换器
- 个人移动设备
- 工业应用
- 清洁能源