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AIMZHN120R020M1TXKSA1
1200V SiC Trench MOSFET
- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，TVj = -55…175℃。 IDDC = 100 A，TC = 25℃。 RDS(on) = 19 mΩ，VGS = 20 V，TVj = 25℃。应用：车载充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMZHN120R020M1TXKSA1
- 商品编号
- C28661303
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.667nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 126pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ |