温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HL3416
N沟道,电流:6.5A,耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：VDS = 20V。 ID = 6.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 22mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 26mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3416
- 商品编号
- C28646273
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF |
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
相似推荐
其他推荐