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NSF080120D7A0J
碳化硅基N沟道功率MOSFET，具有低开关损耗和快速开关速度
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NSF080120D7A0J
- 商品编号
- C28483714
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.335nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 74pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ |
商品概述
NSF080120D7A0是一款基于碳化硅的1200V功率MOSFET，采用成熟的7引脚TO - 263塑料封装，适用于表面贴装PCB技术。出色的导通电阻（RDS(on)）温度稳定性与快速开关速度相结合，使其成为高功率和高压工业应用（如电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器）的首选产品。
商品特性
- 出色的导通电阻（RDS(on)）温度稳定性
- 极低的开关损耗
- 快速反向恢复
- 快速开关速度
- 与温度无关的关断开关损耗
- 非常快速且稳健的本征体二极管
- 由于额外的开尔文源引脚，实现更快的换流和改善的开关性能
应用领域
- 电动汽车充电基础设施
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机驱动器