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G45P40K
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-45A,耐压:-40V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G45P40K
- 商品编号
- C2840768
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.532克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道增强型场效应晶体管，专为高速脉冲放大器和驱动应用设计，采用N沟道DMOS工艺制造。
- 符合ESD MIL - STD 833标准，具备±2.5KV接触放电防护能力
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