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LGE3M18120Q
碳化硅功率MOSFET，耐压1200V，电流105A，导通电阻18mΩ
- 描述
- 特性：高阻断电压。高频操作。低导通电阻。具有低反向恢复能力的快速本征二极管。100%雪崩测试。应用：电机驱动。太阳能/风能逆变器
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE3M18120Q
- 商品编号
- C28451336
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 235nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |