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SI7463DP-T1-GE3
P沟道,电流:-18.6A,耐压:40V 停产
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7463DP-T1-GE3
- 商品编号
- C2838511
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 30.3pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 30V、8A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 20 mΩ（典型值：14 mΩ）
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 35 mΩ（典型值：23 mΩ）
- 先进沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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