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NCE6890K
1个N沟道 耐压:68V 电流:90A
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- 描述
- NCE6890K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6890K
- 商品编号
- C2837476
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽型场效应功率MOSFET
- 出色的导通状态漏源电阻（RDS(on)）和低栅极电荷
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