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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE6890K

1个N沟道 耐压:68V 电流:90A

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描述
NCE6890K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可应用于多种领域。
商品型号
NCE6890K
商品编号
C2837476
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.525克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)3.3nF
反向传输电容(Crss)170pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • VDS = 68V,ID = 90A
  • RDS(ON) < 7.5 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为 6.5 m Ω)
  • 具备高ESD能力的特殊工艺技术
  • 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具有高 EAS 的良好稳定性和均匀性
  • 散热性能良好的出色封装

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF