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2N7002NT
N沟道 耐压:30V 电流:0.15A
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- 描述
- MOSFET
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- 2N7002NT
- 商品编号
- C2836921
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOST技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 60V、104A，VGS = 10V时，RDS（on）最大值为4.6mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 提供环保器件
应用领域
- 电机驱动器-不间断电源(UPS)-DC-DC转换器