AO4202
N沟道MOSFET,电流:20A,耐压:30V
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- 描述
- 适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4202
- 商品编号
- C28314453
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF@15V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
JSM4430是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
商品特性
- 30V/20A，RDS(ON) = 4.5mΩ（典型值）@ VGS = 10V
- 30V/15A，RDS(ON) = 6mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 针对极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 高频负载点同步-网络直流-直流电源系统-负载开关