AP0603GM-HF
N沟道MOSFET,电流:20A,耐压:30V
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- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AP0603GM-HF
- 商品编号
- C28314471
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSS3400是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSS3400符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 20A,当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6.5mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的出色封装