AP9412GM
N沟道MOSFET,电流:20A,耐压:30V
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- 描述
- 适用于各类电源转换和开关控制场景。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AP9412GM
- 商品编号
- C28314407
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的换代产品。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如低振铃倾向、为所有产品配备快速体二极管（CFD），具备出色的抗硬换向能力和优秀的静电放电（ESD）能力。此外，CM8极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效。
商品特性
- 漏源电压(VDS)= 30V,漏极电流(ID)= 20A,当栅源电压(VGS)= 10V时,导通电阻(RDS(ON))< 6.5mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
应用领域
- 电源和转换器
- 功率因数校正（PFC）级和LLC谐振转换器
- 高效开关应用
- 服务器、电信、电动汽车充电、不间断电源（UPS）