AO4354
N沟道MOSFET,电流:20A,耐压:30V
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- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4354
- 商品编号
- C28314416
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的换代产品。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如低振铃趋势，所有产品均采用快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和优秀的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
商品特性
- 凭借出色的换向鲁棒性，适用于硬开关和软开关拓扑
- 显著降低开关和传导损耗
- 超低的RDS(on)*A使每个封装产品的RDS(on)达到同类最佳
应用领域
- 电源和转换器-PFC级和LLC谐振转换器-高效开关应用 例如:服务器、电信、电动汽车充电、UPS