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TPD1E1B04DPYR-MS
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：5A
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- 描述
- TPD1E1B04DPYR-MS可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的电气特性，如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- TPD1E1B04DPYR-MS
- 商品编号
- C2836332
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 21V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 5.6V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 1pF |
商品概述
TPD1E1B04DPYR - MS可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。它为设计师在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路提供了灵活性。
商品特性
- 每线100W峰值脉冲功率（tP = 8/20μs）
- DFN1006 - 2L封装
- 可替代MLV(0402)
- 双向配置
- 响应时间通常 < 1 ns
- 低钳位电压
- 符合RoHS标准
- 数据线瞬态保护符合IEC61000 - 4 - 2(ESD) ±15KV（空气放电）、±12KV（接触放电）；IEC61000 - 4 - 4 (EFT) 40A（5/50ns）
应用领域
- 手机
- 便携式设备
- 数码相机
- 电源