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XG65T125PS1B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XG65T125PS1B

650V,电流:23A,耐压:650V

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品牌名称
XINGUAN(芯冠)
商品型号
XG65T125PS1B
商品编号
C2835630
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@8V,4A
功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.82V@500uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12.5nC@8V
输入电容(Ciss@Vds)500pF@650V
反向传输电容(Crss@Vds)4pF@650V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

80V/255A 栅极-源极导通电阻 RDS(ON) = 2.6 毫欧(典型值),在栅极-源极电压 VGS = 10V 时100% 经过雪崩测试

  • 性能可靠且经久耐用
  • 提供无铅且环保的产品(符合 RoHS 标准)

商品特性

  • 80V/255A
  • 栅源电压 VGS 为 10V 时,漏源导通电阻 RDS(ON) 为 2.6 毫欧(典型值)
  • 100% 雪崩测试通过
  • 可靠且耐用
  • 提供无铅且环保的器件(符合 RoHS 标准)

应用领域

  • 切换应用程序
  • 无刷电机驱动器

数据手册PDF