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AP4435C
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 特性：-30V, -10A。 RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 34mΩ @ VGS = -4.5V。 Trench DMOS功率MOSFET。 快速开关。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP4435C
- 商品编号
- C2833150
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 278pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 327pF |
商品概述
HGE055NE4A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为SOP8，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 5.5 mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路
- DC/DC转换器中的同步整流
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